三星全球首秀3nm工艺：再次实现了晶体管结构的突破

这几年，台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭，春风得意，能够追赶的也只有三星了，但是后者的工艺品质一直饱受质疑。

IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80%，性能提升最多30%，或者功耗降低最多50%。

或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。

台积电方面，3nm继续使用FinFET技术，号称相比于5nm晶体管密度增加70%，性能可提升11%，或者功耗可降低27%，预计今年晚些时候投入试产，明年量产，客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等，甚至据说Intel也会用。