国产DDR4内存研发完成 解决产能问题后能否弯道超车

内存最核心的技术就是内存颗粒(DRAM),目前DRAM内存生产技术主要掌握在三星、SK Hynix及美光三大公司手中,据不完全统计,国内今年在存储芯片的进口额超过千亿美元。

而转回到国内,在DDR4内存为主流的今天,国内依旧在DDR3徘徊,国内厂商与这些一线大厂相比差距十分明显。而近期终于有好消息传出,紫光国微公司宣布DDR4存储芯片开发工作基本完成。

紫光国微就是之前的西安紫光国芯,今年5月份改名为紫光国微,而紫光集团6月初与重庆市政府、国家集成电路产业基金发起成立了紫光国芯集成电路股份有限公司,注册资本1000亿人民币,还会寻求IPO上市,占用了紫光国芯这个名字,所以之前的西安紫光国芯就更名为紫光国芯微电子股份有限公司,简称紫光国微。

今年6月份,紫光国微曾经表示今年DDR4内存的研发工作将于年内完成并且市场推广也在持续推进中,不过到了12初依旧没有任何消息。在2018即将结束之际,紫光国微终于给出了回应,宣称“公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成,正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善,产能仍然很难保证。”

也就是说,现在虽然紫光国微DDR4的设计研发已经接近尾声,但是并没有下游的DRAM晶圆厂可以生产,上市更是无从谈起。

DRAM生产工厂现状确实不容乐观,国内目前主要有合肥长鑫/兆易创新以及福建晋华/联电的两个合作项目,目前晋华/联电因为和美光的专利方面的纠纷受到美国制裁,生产进度受到很大的影响。

而合肥长鑫/兆易创新的DRAM项目,早前说是今年年底能成功研发出19nm DRAM芯片,先不说能不能实现,就算能实现了,也需要大量的时间来解决产品良率的问题,短期之内很难实现大规模量产。所以国内存储颗粒方面想要进入第一梯队,还有很长的路要走。